ジャンクション 温度。 ジャンクション温度 温度特性

ジャンクション温度 温度特性

ジャンクション 温度

半導体内部のリード線と半導体素子を構成する部材の接続部の温度です。 (例えばp or n接合部) 半導体の動作(寿命)を保証するために必要なデータです。 実際には、接合部温度を測ることはできませんから、表面温度(実測)と素子のデータ(熱抵抗)から、接合部温度を推算します。 下記をご参照ください。 参考URL: A ベストアンサー 今晩は。 接合という言葉は半導体ではjunction=チップ部を表します。 Tsのsはsolder(半田)の意味です。 つまりLEDの基盤に半田付けする端子部の意味になります。 式の意味は(1)は半田部の温度が分かっている場合に半田部とジャンクション間の熱抵抗 LEDの熱抵抗 を使ってジャンクション温度を求める式です。 (2)は周囲温度Taが分かっている場合にジャンクションと周囲温度の間の熱抵抗Rth(j-a を使ってジャンクション温度を求める式です。 ジャンクションと周囲温度の間の熱抵抗Rth(j-a はジャンクションと半田部間の熱抵抗Rth j-s と半田部と周囲温度間の鉄抵抗、つまり基板の熱抵抗Rth s-a の和になります。 この式(3)によりジャンクション温度を計算できます。 今晩は。 接合という言葉は半導体ではjunction=チップ部を表します。 Tsのsはsolder(半田)の意味です。 つまりLEDの基盤に半田付けする端子部の意味になります。 式の意味は(1)は半田部の温度が分かっている場合に半田部とジャンクション間の熱抵抗 LEDの熱抵抗 を使ってジャンクション温度を求める式です。 (2)は... A ベストアンサー cはコレクタ,dはドレインの略です. Vcと表記すると該当のトランジスタ1個のコレクタ電圧を指しますよね. Vccという表記は,それと明確に区別するために使われていると思います. ccで,複数のトランジスタのコレクタを意味しているのでしょう. つまり,ccは「コレクタ側電圧 電源 」,ddは「ドレイン側電圧 電源 」 と考えればよいでしょう. ちなみに,Veeでエミッタ側のマイナス電源 NPNの場合 を表します. それと,ccとかddとかは,大文字でCC,DDと表記することが決まっている はすです.小文字の場合は「小信号」を意味するからです. IEEEやJEDECで表記の規則が手に入るはずです. A ベストアンサー 用語的には。 VA:Value Analysisの頭文字(価値分析) VE:Value Engineeringの頭文字(価値工学) VAは、おおざっぱに言って、既存の製品に対して改善を行う手法。 製品やその部品に対して、必要とされる機能や品質を考えて現状を分析し、コスト低下につながる代替案を提案する。 VEは、開発設計段階から行う手法。 設計を行う場合に、機能や品質を満足するするに必要なレベルを考慮する。 (適正な材料の選択、適正公差、最適工法の選択、仕上げ方法の見直しなど) 不必要に過剰品質にならない、設計が複雑では製造段階での努力には限界がある、それらを含めて設計段階への提案。 現在では、VEの方が重視されている、もちろん既存製品に対するVA提案を受けて、次製品へのVE活動につなげていきます。 geocities. sjve. pdf (PDFファイルです) こんな感じです。 用語的には。 VA:Value Analysisの頭文字(価値分析) VE:Value Engineeringの頭文字(価値工学) VAは、おおざっぱに言って、既存の製品に対して改善を行う手法。 製品やその部品に対して、必要とされる機能や品質を考えて現状を分析し、コスト低下につながる代替案を提案する。 VEは、開発設計段階から行う手法。 設計を行う場合に、機能や品質を満足するするに必要なレベルを考慮する。 A ベストアンサー こんにちは。 kgfはSI単位ではないですが、質量の数値をそのまま重さとして考えることができるのがメリットですね。 >>> ある試験片に40kgの重りをつけた時の荷重は何Nをかけてあげると、重り40kgをつけたときの荷重と同等になるのでしょうか? なんか、日本語が変ですね。 「ある試験片に40kgの重りをつけた時の引っ張りの力は何Nの力で引っ張るのと同じですか?」 ということですか? ・・・であるとして、回答します。 40kgのおもりなので、「おもりにかかる重力」は40kgfです。 重力は万有引力の一種ですから、おもりにも試験片にも、地球からの重力はかかります。 しかし、試験片の片方が固定されているため、見かけ、無重力で、試験片だけに40kgfの力だけがかかっているのと同じ状況になります。 98」でいいのでしょうか? いえ。 1kgf = 9.8N ですね。 力だけでなく、引っ張り応力を求めたいのでしょうか。 そうであれば、400Nを断面積で割るだけです。 こんにちは。 kgfはSI単位ではないですが、質量の数値をそのまま重さとして考えることができるのがメリットですね。 >>> ある試験片に40kgの重りをつけた時の荷重は何Nをかけてあげると、重り40kgをつけたときの荷重と同等になるのでしょうか? なんか、日本語が変ですね。 「ある試験片に40kgの重りをつけた時の引っ張りの力は何Nの力で引っ張るのと同じですか?」 ということですか? ・・・であるとして、回答します。 40kgのおもりなので、「おもりにかかる重力」は40kg... A ベストアンサー >1. この電圧の定義 : ベース端子とエミッタ端子の間の電圧なのか? 回答>>そうです。 この電圧の特性 : 大きければいいのか、小さいほうがいいのか? 回答>>どちらかと言えば小さい方が良い。 飽和の意味: コレクタ電流が最大になった状態という意味で正しいのか? 回答>>ベース・エミッタ間飽和電圧はコレクタ電流が最大になった状態とは違います。 まず、コレクタには外部から定電流源で規定の電流、例えば100mAを流しておきます。 このときベースにも規定の電流を外部から定電流源で、例えば10mAを流します。 このベース電流は半導体メーカによりますが、コレクタ電流の1/10または1/20を流します。 通常hFEは100くらいか、それ以上の値を持ってますのでこのベース電流は過剰な電流と言うことになります。 例えばhFEが100あったとすれば、ベース電流が10mAならコレクタ電流はそのhFE倍、すなわち1000mA流せることになります。 逆にコレクタ電流を100mA流すのに必要な最低のベース電流はその1/hFEでよいわけですから、1mAもあればよいわけです。 「ベース・エミッタ間飽和電圧」の仕様はトランジスタをデジタル的に動かしてスイッチとして使う場合を想定したものです。 例えばコレクタ負荷が抵抗で構成されてる場合にトランジスタがONしてコレクタ電流として100mA流す場合、トランジスタをしっかりONさせるためにベースにはhFEから考えてぎりぎりの1mAより多くの電流を流します。 コレクタ電流を100mA流し、ベース電流を10mA流せばオーバードライブ係数、Kovは 10になります。 実際にトランジスタをスイッチとして使用する場合はこのオーバードライブ係数を目安にして、ベース電流を流すように設計します。 その際、ベースーエミッタ間の電圧VBEが計算上必要になりますのでこのベース・エミッタ間飽和電圧を使います。 例えば、NPNトランジスタをONさせてコレクタに100mA流す場合、ベースにコレクタ電流のKov分の1の電流を流すようにベースと信号源の間の抵抗値RBを計算します。 信号源の「H」の電圧が2. 5Vの場合、RBはベース・エミッタ間飽和電圧をVBE sat)とすれば、 RB=(2. 5V-VBE sat)/10mA のようにして求めます。 この電圧の定義 : ベース端子とエミッタ端子の間の電圧なのか? 回答>>そうです。 この電圧の特性 : 大きければいいのか、小さいほうがいいのか? 回答>>どちらかと言えば小さい方が良い。 飽和の意味: コレクタ電流が最大になった状態という意味で正しいのか? 回答>>ベース・エミッタ間飽和電圧はコレクタ電流が最大になった状態とは違います。 まず、コレクタには外部から定電流源で規定の電流、例えば100mAを流しておきます。 このときベースにも規定の電流を外部から定電流源で、例... ・回答者 No. 1 ~ No. 3 さんと同じく『指数表記』の『Exponent』ですよ。 0E-1 1. 0E-2 1. 0E-3 1. ようするに 10 を n 乗すると元の数字になるための指数表記のことですよ。 ・よって、『2. 43E-19』とは? 2. 0000000000000000001だから、 0. 000000000000000000243という数値を意味します。 ・E-数値は 0. 1、0. 01、0. 001 という小さい数を表します。 ・数学では『2. wikipedia. wikipedia. ・回答者 No. 1 ~ No. 3 さんと同じく『指数表記』の『Exponent』ですよ。 0E-1 1. 0E-2 1. 0E-3 1. ようするに 10 を n 乗すると元の数字になるた... Q ほとんどこの分野に触れたことがないので大変初歩的な質問になると思います。 図1のような回路でプルアップ抵抗の値を決めたいと思っています。 B点での電圧を4. 1Vとしたい場合について考えています。 その場合、AB間での電圧降下は0. 9Vとなります。 9Vとなるように設定するのでしょうか。 どうぞご助力お願いします。 以下、理解の補足です。 ・理解その1 ふつう、こういう場合は抵抗値を計算するためには、電圧降下と抵抗に流れる電流が決まっていることが前提だと考えていました。 電源ラインからは「使う電流」だけ引っ張るイメージだと理解しているのですが、その「使う電流」が分からないため抵抗値を決定できません。 (ポート入力電流の最大定格はありますが…) ・理解その2 理解その1で書いたように、抵抗値を計算するためには、電圧降下と抵抗に流れる電流が必要だと理解しています。 図2を例に説明します。 Rの値を決めたいとします。 CD間の電圧降下が5Vであることと、回路全体を流れる電流が2Aであることから、キルヒホッフの法則より簡単にRの値とそれぞれの抵抗に流れる電流が分かります。 今回の例もこれと同じように考えられないのでしょうか。 ほとんどこの分野に触れたことがないので大変初歩的な質問になると思います。 図1のような回路でプルアップ抵抗の値を決めたいと思っています。 B点での電圧を4. 1Vとしたい場合について考えています。 その場合、AB間での電圧降下は0. 9Vとなります。 A ベストアンサー NO1です。 スイッチがONした時に抵抗に流れる電流というのは、最大入力電流や最大入力電圧 という仕様から読めば良いのでしょうか。 入力電圧は5Vかけても問題ないかは確認必要です。 マイコンの入力電圧として0Vか5Vを入れたいのであれば、抵抗値は、NO3の方が 言われているとおり、ノイズに強くしたいかどうかで決めれば良いです。 あとは、スイッチがONした時の抵抗の許容電力を気にすれば良いです。 1/16Wの抵抗を使っても全く余裕があり問題ありません。 電気の世界では、「ripple:脈動電流」としています。 例えば50Hzを両波整流して得られた電源からは、100Hzの脈流電流 リプル が平滑回路のコンデンサに流れ込みます。 (交流電流は、ダイオードで整流しただけでは「脈流」であり、コンデンサを通って初めて、平らな「DC」になることにご留意ください) コンデンサにとってはこの脈動電流は負荷になります。 コンデンサ自体には、「ESR:等価直列抵抗」という特性があります。 これが、脈流電流によってジュール熱を発生し、場合によっては、コンデンサが破壊されることがあるからです。 電解コンデンサは、特にこのESRが大きいので、熱破壊を防止するために、「リプル耐量」を規定する必要があり、これを表示することになっています。 「リプル電流の大きい方が性能がよい」というのは、「耐量=許容量」、が大きいということなのです。 コンデンサには「定格電圧」というのがありますが、これと同じようなもの、と考えてもらってもよいかと思います。 (タンタルコンは電解コンデンサの一種であるが、ESRが小さいという特長がある) メーカーサイトの資料です。 1-2に「リプル電流が大きいと、コンデンサの等価直列抵抗分 ESR によって自己発熱(ジュール熱)によって破壊する」という説明があります。 chemi-con. html メーカーサイトの資料ですが、上記よりももう少し詳しく書いてあります。 rubycon. chemi-con. 電気の世界では、「ripple:脈動電流」としています。 例えば50Hzを両波整流して得られた電源からは、100Hzの脈流電流 リプル が平滑回路のコンデンサに流れ込みます。 (交流電流は、ダイオードで整流しただけでは「脈流」であり、コ... Q ネットで調べたのですが理解できず質問させていただきます。 ネットで検索をすると、 一般的にパターン幅1m 銅箔厚35u で1Aを目安とあります。 これは、 ・パターン幅1mmに対して一瞬でも10Aを超えたらパターンが断線する。 分かる方がいたら回答お願いいたします。 つまりパターン設計者は回路がどのくらいの電流を使用しているかいちいち回路解析はしないので35ミクロン有る銅箔で1mm幅の回路でつないでねと指示する必要があるということです。 2 は、回路設計者が間違っても(不測の事態が起こっても)パターン幅1mmを指定した回路に10Aの電流が流れるような設計をしてはいけないと禁じています。 但し、銅箔を基板に貼り付けている樹脂にはダメージが起こります。 つまりパターン設計者は回路がどのくらいの電流を使用しているかいちいち回路解析はしないので35ミクロン有る銅箔で1mm幅の回路でつないでねと指示する必要があるということです。 2 は、回路設計者が間...

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AMDが110°Cのホットスポット温度を「期待値および仕様内」とする、 RX 5700シリーズの温度

ジャンクション 温度

今晩は。 接合という言葉は半導体ではjunction=チップ部を表します。 Tsのsはsolder(半田)の意味です。 つまりLEDの基盤に半田付けする端子部の意味になります。 式の意味は(1)は半田部の温度が分かっている場合に半田部とジャンクション間の熱抵抗 LEDの熱抵抗 を使ってジャンクション温度を求める式です。 (2)は周囲温度Taが分かっている場合にジャンクションと周囲温度の間の熱抵抗Rth(j-a を使ってジャンクション温度を求める式です。 ジャンクションと周囲温度の間の熱抵抗Rth(j-a はジャンクションと半田部間の熱抵抗Rth j-s と半田部と周囲温度間の鉄抵抗、つまり基板の熱抵抗Rth s-a の和になります。 この式(3)によりジャンクション温度を計算できます。 半導体内部のリード線と半導体素子を構成する部材の接続部の温度です。 (例えばp or n接合部) 半導体の動作(寿命)を保証するために必要なデータです。 実際には、接合部温度を測ることはできませんから、表面温度(実測)と素子のデータ(熱抵抗)から、接合部温度を推算します。 下記をご参照ください。 半導体内部のリード線と半導体素子を構成する部材の接続部の温度です。 (例えばp or n接合部) 半導体の動作(寿命)を保証するために必要なデータです。 実際には、接合部温度を測ることはできませんから、表面温度(実測)と素子のデータ(熱抵抗)から、接合部温度を推算します。 例えば、熱損失が5... Q LEDの熱抵抗測定に関して教えてください。 『1mAなど小さな電流でVF1を測定後、100mAなどの大きな電流でLEDを加熱し、その後もう一度1mAなど小さな電流でVF2を測定する。 』とあります。 具体的には、どのような方法なのでしょうか? 熱抵抗を知るには、ケース温度と周囲温度、Pが必要だと理解しています。 A ベストアンサー tanceです。 熱抵抗は1Wの電力を与えるとどのくらい温度上昇が起こるか、という 数値です。 温度上昇を、加えた電力で割ったものです。 次に図を見てください。 電流を1mA流して温度を恒温槽などでT1とT2の 二通りに変化させ、VF1とVF2を計っておきます。 05V変化しています。 温度が上がる とVFが下がることが解ります。 つまり、自己発熱しない電流にて、LEDの温度を 変えてVFを計ることで、LEDが温度計として使えるようになった訳です。 次はいよいよLEDを発熱させます。 大電流を流し十分温度が平衡状態になったころを見計らってVF3を 計ります。 これは温度計としては使えない数値です。 なぜなら1mAでは ないからです。 このVF3は発熱状態のときの電力Pを求めるために測定 します。 次に電流を1mAにします。 つまり、温度計モードに入るわけです。 発熱で上昇した温度が下がらないうちに、素早くVF4を測定します。 このVF4は1mAでのVFですから、温度を求めるために測定します。 VF1とVF4からそのときの温度が計算できます。 35V - 1. 次は電力です。 たとえば、IF3は100mAだったとして、VF3が1. 38V ですからLEDが消費していた電力は138mWだったことになります。 tanceです。 熱抵抗は1Wの電力を与えるとどのくらい温度上昇が起こるか、という 数値です。 温度上昇を、加えた電力で割ったものです。 次に図を見てください。 電流を1mA流して温度を恒温槽などでT1とT2の 二通りに変化させ、VF1とVF2を計っておきます。 05V変化しています。 温度が上がる とVFが下がることが解ります。 つまり、自己発熱しない電... 放熱フィンの無いヒートシンクの場合、放熱能力はその体積Hv(cm3)で決まります。 そしてHvが大きければ大きいほど放熱能力は高くなります。 すなわち、熱抵抗は小さくなります。 面積が同じで厚みが異なる場合は厚みが厚いほど体積Hvは大きくなりますので、厚みが厚くなるほど放熱能力は高くなります。 従って、この場合厚みが一番大きい2mmのアルミ板が一番放熱能力が高いと言うことになります。 この式を使って3種類のアルミ板の熱抵抗 Rh-a を計算すると、 t=1. 5mm: Rh-a=18. また、3WのLEDチップのジャンクションの最大許容温度は100度が普通です。 まず、この条件から放熱に必要なLEDチップのジャンクション温度 Tj と周囲温度 Ta 間の熱抵抗 Rj-a を計算します。 この値は2mm厚のアルミ板の熱抵抗 Rh-a=14. 放熱フィンの無いヒートシンクの場合、放熱能力はその体積Hv(cm3)で決まります。 そしてHvが大きければ大きいほど放熱能力は高くなります。 すなわち、熱抵抗は小さくなります。 面積が同じで厚みが異なる場合は厚みが厚いほど体積Hvは大きくなりますので、厚みが厚くなるほど放熱能力は高くなります。 従って、この場合厚みが一番大きい2mmのアルミ板が一番放熱能力が高いと言うことになります。 アルミの場合のヒートシンク体積 Hv cm3... Q 以下のURLのページに、式1として熱抵抗の計算式が記載されており、図3に銅の熱抵抗の計算結果が示されているのですが、計算に使われていると思われる図2の熱伝導率の単位と式1の熱伝導率の単位が異なっています。 tij. tsp? A ベストアンサー センチメートルとメートルの変換で、100倍すればよいというのは回答1の通り。 035mm、2. 45cm2 の翻訳ミスでしょう。 035mm、断面積1平方インチ、で計算すると、 0. 00015にならないのはなぜだかわかりませんが、他にもどこかに数値の違いがあるのかもしれません。 A ベストアンサー もしマクロの作り方が分からなければ以下の手順を参考にしてください。 【マクロの作成方法】 1 Excelワークシートを新規に作成し、ALTキーを押しながら F8 キーを押す 2 マクロ名の欄に適当なマクロ名(xy など)を書いて「作成」をクリック 3 Visual Basicの編集画面の Sub マクロ名 と End Sub の間にコードを貼り付ける(回答No. その場合、以下の手順でセキュリティレベルを変更してください。 【マクロの作成方法】 1 Excelワークシートを新規に作成し、ALTキーを押しながら F8 キーを押す 2 マクロ名の欄に適当なマクロ名(xy など)を書いて「作成」をクリック 3 Visual Basicの編集画面の Sub マクロ名 と End Sub の間にコードを貼り付ける(回答No. A ベストアンサー #1です。 後は、誤差と計算力の問題になると思います。 参考まで 誤差について: 1 グリスの厚み(両方の面精度などにより厚みは一定ではない) 2 放熱ゴムの熱抵抗(締め付け圧でのばらつき) 計算の難しさについて: 1 熱は放射状に広がっていくのでそれをどのように計算できるか 2 上記のときに熱抵抗の違うものが多層になっているので、 計算は複雑となる。 実測の方が楽で確実な気がします。

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Ta定格、Tc定格、およびTj定格について

ジャンクション 温度

はじめに 近年、高温・多湿という電子部品にとって劣悪な使用環境に置かれるケースや、放熱をすることが難しい薄型筐体や狭小基板への実装されるケースが一般的となっており、ますます半導体が搭載される環境は悪化する傾向にあります。 ICチップの発熱についてきちんと理解することは、製品の安全性を確保することやICチップの本来の性能を引き出すことに大きく影響を及ぼします。 本記事ではリニアレギュレータを例に正しい熱計算の方法について学んでいきたいと思います。 ジャンクション温度とは 半導体のデータシートを見ると、Absolute Maximum Ratings 絶対最大定格 と呼ばれる項目にT J Junction temperature と呼ばれる項目があります。 これがジャンクション温度であり、 樹脂パッケージの中に搭載されているダイの表面温度が絶対に超えてはならない温度というものになります。 絶対最大定格以上にジャンクション温度が達してしまうと、発熱によるクラックの発生や、正常に動作をしなくなるなど故障の原因につながります。 図1 ジャンクション温度の規定 出典:Texas Instruments Inc. TPS709 Datasheet しかし、ダイは合成樹脂に覆われているため直接測定することはできません。 この測定できないダイ温度をどのように測るのでしょうか? 発熱量の計算の仕方 半導体の周囲は上述の通り、合成樹脂によって覆われているため、直接ダイの温度を測定することは出来ません。 しかし、計算式を用いることで半導体の消費電力量から発熱する熱量を求めて算出することが出来ます。 今回は、電位を降下させた分の電力を熱という形で消費させるリニアレギュレータを例にとって考えることにします。 まず、一般的な計算式ですが、電力量は次の 1 式のように電圧と電流の積で求めることができます。 その点を踏まえると、リニアレギュレータ自身が消費する電力量は入出力の電位差と半導体に流れる電流量の積で求めることができます。 従来のジャンクション温度の計算方法 発熱量の求め方がわかったら、次に必要となるのは 熱抵抗です。 この熱抵抗というものは温度の伝えにくさを表す値です。 今回は以下の条件下でのジャンクション温度を計算したいと思います。 デバイス:TPS709• パッケージ:SOT-23• 入力電圧:6V• 出力電圧:3. TPS709 Datasheet まずは先ほどの 2 式を使ってリニアレギュレータ自身が消費する電力量を計算します。 その基板は図4のような、3インチ角の4層基板にデバイス単体のみ搭載されるものです。 新しい熱評価基準の解説 実際の使用環境と比較すると、とても大きな放熱のスペースが有ります。 また、本来であれば周囲に搭載されているはずの他の熱源からの影響も受けないなど、通常の実装条件とはかけ離れた環境下での測定となっています。 つまり、この結果を基に熱計算をしてしまうと、実際のジャンクション温度の計算値と大きく外れてしまう可能性があります。 結果として、デバイスの寿命や性能に悪影響を及ぼしかねません。 図6 T T,T B計測ポイント 出典:Texas Instruments Inc. 新しい熱評価基準の解説 今回は以下の条件で 6 式に代入して求めます。 デバイス:TPS709• パッケージ:SOT-23• 入力電圧:6V• 出力電圧:3. 出力電流:150mA P dは 4 式の結果と同じですので、それを用いて計算すると、 となりました。 結果としては絶対最大定格内に収まっていました。 TPS7A7300 Datasheet まとめ 今回はリニアレギュレータの熱計算の方法について紹介しました。 今後、熱計算をされる際にはこの点を踏まえて検討するとよいのではないでしょうか。 本記事内でも記載している通り、このパラメータはJEDEC規格に則ったものですので、異なるメーカー間のデバイスの放熱能力の比較に使用することができます。 これらのパラメータを上手に使い分けることで、適切なデバイスの選定を行うことができます。 より安全にデバイスの性能を引き出せるようにお役立てください。 関連情報はこちら•

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